제품소개

In-Situ Pre Purge System

1. 45nm 이하 Design Rule Device의 계면 Native Oxide 생성에 의한 Device 특성 변화 방지
  • Poly for Bit-Line, Capacitor and Gate

  • 2. 전/현 공정간 Delivery Time에 따른 Native Oxide, AMC 생성에 의한 막질 특성 변화 방지와 단위공정관리의 적정화
  • Particle Level 감소
  • Native Oxide 및 AMC 생성 방지에 의한 Thickness Uniformity 개선
  • Batch 설비의 Batch Size 확대 및 Queue-Time Control(생산성증대)
  • Quality / Reliability 개선에 의한 고객 Claim 개선

  • *AMC (Airborne Molecular Contaminants)


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